Extreem ultraviolette (EUV) lithografie vormt de ruggengraat van de modernste halfgeleiderproductie. Door licht met een golflengte van slechts 13,5 nanometer te gebruiken, kunnen patronen op atomair niveau op siliciumwafers worden geëtst. Omdat dit licht door vrijwel alle materie wordt geabsorbeerd, vindt het hele proces plaats in een hoogvacuüm met behulp van uitzonderlijk vlakke spiegels in plaats van traditionele lenzen.